Ученые узнали причины появления в алмазе включений твердого углекислого газа

Социальные сети

При изучении кристаллов алмаза, в которых наблюдаются спектральные линии поглощения твердого углекислого газа, методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) было обнаружено большое количество наноразмерных кислородсодержащих выделений октаэдрической формы. В большинстве случаев эти объекты тесно связаны с дислокационными петлями. Это позволяет сделать вывод о том, что СО2-содержащие нанопреципитаты возникли не путем захвата углекислого газа во время роста кристалла, а путем выделения кислорода из алмазной решетки из-за уменьшения его растворимости при понижении давления и температуры.

Ученые узнали причины появления в алмазе включений твердого углекислого газа 0

Результаты опубликованы в Carbon Trends. Алмаз — кристалл, состоящий из чистого углерода. Одним из подходов, позволяющих получать информацию об условиях роста природных алмазов, является изучение примесей в алмазной решетке. Основное внимание традиционно направлено на изучение самых распространенных примесей – азота и водорода, информацию о которых можно получить неразрушающими спектроскопическими методами. Концентрация примесей, их пространственное распределение внутри кристалла и конкретные типы связанных с примесями дефектов решетки отражают температурные условия, химизм и особенности среды, в которых рос алмаз.

Кислород — один из самых распространенных элементов на Земле. В настоящее время нет окончательного ответа на вопрос, может ли примесь кислорода входить в решетку алмаза или же она всегда связана с включениями посторонних фаз. Квантово-химические расчеты показывают возможность образования точечных дефектов, содержащих кислород. Предположительно кислород входит в состав некоторых парамагнитных и люминесцирующих дефектов. Однако на настоящее время роль этой примеси остается плохо изученной.

В спектрах инфракрасного поглощения некоторых алмазов наблюдаются линии поглощения, соответствующие твердой углекислоте. Сдвиг полос поглощения от их положения при обычных условиях свидетельствует о том, что СО2 находится под высоким остаточным давлением, достигающем 5 ГПа и даже выше. Однако положение спектральных линий СО2 в разных частях одного и того же кристалла и, соответственно, рассчитанное давление, может меняться в довольно широких пределах, что довольно сложно объяснить в рамках модели захваченных включений ростовой среды.

Источник

Оцените статью
Добавить комментарий